Aktuelles

13.10.2017 - 12:00

6. OCL-TP Workshop

Vom 30. - 31. Oktober fand der 6. Internationale Workshop zwischen dem "Optical Communication Lab" und dem Fachgebiet "Technische Physik", im Rahmen eines langfristigen Kooperationsabkommens zwischen dem Israel Institute of Technology und der Universität Kassel statt.

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11.07.2016 - 12:01

Neues Projekt: Quantengeld und Nanosensoren

Auch für unser neues Projekt "Quantengeld und Nanosensoren" wurde die finanzielle Unterstützung durch die Volkswagen Stiftung genehmigt.

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11.07.2016 - 12:00

Neues Projekt: QD MIXEL

Finanzielle Unterstützung durch die DGF für unser neues Projekt "fs-Pulserzeugung mit MIXSEL (modelocker integrated external cavity surface emitting laser) auf der Basis von Quantenpunkt-Verstärker-und Absorber-Elementen" wurde genehmigt.

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Ausstattung

Lithographie

Zeiss NVision 40 High End Cross Beam

Zeiss NVision
- Elektronensäule: hochauflösende (1,3nm) Feldemission
- Ionensäule: hochauflösend (4nm), geeignet für Deposition und Ätzen
- Herstellung von TEM-Proben und Analyse in Transmission

Raith eLine Elektronenstrahllithographie

Raith eLine

- hochauflösend bis <20nm Strukturbreite
- 100 x 100 mm interferometrisch gesteuerter Tisch
- Positionsgenauigkeit 2nm in x- und y-Richtung
- Strahldurchmesser : 1,6nm
- Stitching freie Belichtung durch FBMS (Fixed Beam Moving Stage) & MBMS (Modulated Beam Moving Stage) 


 

   

     

Karl Süss MA4 Maskaligner

Karl Süss Maskaligner
- bis zu 4"-Substrate, bis zu 7"-Masken
- Auflösung: Standard 800nm, Optional bis 300nm

EVG Al-4 Maskaligner

EVG Maskaligner
- bis zu 4"-Substrate, bis zu 5"-Masken

Epitaxieanlagen

Varian Gen II Modula MBE

Molecular Beam Epitaxy
- gekoppelte Anlagen für GaAs und InP Schichtsysteme
- Schichtdickengenauigkeit im sub-nm Bereich
- In-situ-Kontrolle mittels RHEED / Ultra Hoch Vakuum ( 10E-8 - 10E-10 mbar )
- Materialien : Ga, In, Al, As2, Si, Be
- Reaktor A: Silizium E-Beam-Verdampfer, Wasserstoff-Cracker (H)
- Reaktor B: Phosphor-Cracker

Varian Gen II Mod MBE

Molecular Beam Epitaxy
- Epitaxie von Einkristallen
- Schichtdickengenauigkeit im sub-nm Bereich
- In-situ-Kontrolle mittels RHEED
- Ultra Hoch Vakuum
- Material: Gallium(Ga),Indium(In),Aluminium(Al),Arsen(As),Silizium(Si),Beryllium(Be)

AsTex MWCVD

MWCVD
MicroWave Plasma Chemical Vapour Deposition

- Prozessgase: Methan(CH4), Wasserstoff(H2), Stickstoff(N2), Argon(Ar), Sauerstoff(O2)
- Material: Poly- und Nanokristallindiamantschichten (PCD und NCD)

Deposition

Roth ß Rau Ionsys 1000 IBD

Ion Beam Deposition
Ion Beam Deposition
- Reinraumklasse 1
- Multischichtsysteme (DBR,VCSEL,etc.)
- In-situ-Kontrolle
- Material: Metalle(z.B. Al,Zr,Cr), Oxide(z.B.ITO,TiO,SiO2), Nitride(z.B.Si2N3)
- Prozessgase: Argon(Ar), Xenon(Xe), Sauerstoff(O2), Stickstoff(N2)

Pfeiffer PLS 500 Aufdampfanlage

Pfeiffer PLS 500
- Elektronenstrahl oder thermisch
- Material: Titan(Ti), Nickel(Ni), Chrom(Cr), Platin(Pt), Aluminium(Al)

Balzers BAK 600 Aufdampfanlage

Balzers BAK 600
- Elektronenstrahl oder thermisch
- Prozessgas: Argon (Ar)
- Material: Nickel (ni), Titan (Ti), Platin (Pt), Gold (Au), Germanium (Ge), Chrom (Cr)

Oxford Plasmalab 80 PECVD

Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

- Prozessgase: Silan (SiH4), Wasserstoff (H2), Ammoniak (NH3), Distickstoffoxid (N20)
- Material: Siliziumnitrid (SiN), Siliziumoxid (SiO), Silizium (Si)

Emitech K550 Sputter Coater

Emitech K550 Sputter Coater
- Prozessgase: Argon (Ar)
- Material: Platin (Pt)

Trockenätzanlagen

2 Oxford Plasmalab 100 ICP-RIE

ICP - RIE
Inductive Coupled Plasma - Reactive Ion Etching

- ICP 1: mit Fluordonatoren für das Silizium-Tiefätzen (Bosch-Prozess)
- ICP 2: mit Chlordonatoren für das Ätzen von Halbleitermaterialien (z.B. GaAs)

Castor und Pollux RIE

Castor und Pollux RIE
Reactive Ion Etching
Parallelplattenreaktor

- Prozessgase: Trifluormethan(CHF3), Schwefelhexafluorid(SF6),Sauerstoff(O2)
- Material: Siliziumnitrid(SiN), Siliziumoxid(SiO)

Oxford Plasmalab 80 Plus RIE

Oxford 80 Plus RIE
Reactive Ion Etching
Parallelplattenreaktor

- Prozessgase: Wasserstoff(H2), Methan(CH4)
- für: Indium(In)-,Phosphor(P)-,Gallium(Ga)-,Arsen(As)-Verbindungshalbleiter (z.B. InP)

Plasmalab RIE

Plasmalab RIE
Reactive Ion Etching

- Ätzen von BCB, SiN, SiO2, Si
- Gase: CHF3, Ar, SF6, O2

TePla 200-G Plasmaverascher

Plasmaverascher
- Zum Ätzen von Fotolacken und organischen Rückständen
- Prozessgas: Sauerstoff (O2)

Weitere Geräte

Xerion RTA

Xerion RTA
Rapid Thermal Annealing

Prozessgas: Argon (Ar)
Temperaturen bis 400°C

RTA

RTA
Rapid Thermal Annealing

- Prozessgas: Argon (Ar), Stickstoff (N2)
- Temperaturkontrolle mit Thermoelement oder Pyrometer
- Temperaturen bis 1300°C

Bal-Tec CPD 030 Kritisch-Punkt-Trockner

Critcal Point Dryer
Prozessgas: Kohlendioxid (CO2)

Analytik

AFM CP-II

AFM  CP-II
- Rasterkraftmikroskopie (AFM) im Contact- und Non-Contact-Modus
- Rastertunnelmikroskopie (STM)
- Nanolithographie

DualScopeTM 95 SPM System

DualScopeTM 95 SPM System
- DualScopeTM 95 SPM Scanner bietet die Einrichtungen für alle SPM-Modi.
- Integrierte Elektronik garantiert niedrigsten Rauschpegel in elektrischen SPM-Modi.
- Unterstützte Modi: Kontaktmodus (DC), intermittierenden Modus (AC), Nicht-Kontakt-Modus, Frequenzmodulationsmodus, Querkraft-Modus, Kraft-Spektroskopie, EFM, MFM, STM

2 Scanning Electron Microscopes / Hitachi s-4000 und s-4100

SEM s-4000
- Auflösung: 1,5nm bei 30kV, WD 5mm
- Vergrösserung: 20x bis 300000x
- Beschleunigungsspannung: 0,5 bis 30kV
- s-4000: Aktives Bildverarbeitungssystem DISS 5
- s-4100: Energiedispersives Spektrometer EDAX DX-4, Backscattered electron detector

Spektroskopie-Messplatz

Spectroscopy Set-up
Absorptions- und Photolumineszenz-Spektroskopie

- Temperatur regelbar bis 10K
- Sub-nm spektrale Auflösung
- Si-Photodiode und InGaAs-Diode für Wellenlängen bis ins Infrarote
- Lock-In Detektion

Mikro-Photolumineszenz-Spektroskopie

µ-PL
- hochauflösender 1m-Czerny-Turner-Monochromator
- stickstoffgekühlte CCD-Kamera (deep depletion, anti-etaloning)
- Kryostat gekühlt mit flüssigem Helium, Temperaturen von 3,5K-475K
- hochauflösende Positionsgenauigkeit von 0,1µm
- Mikroskopobjektiv mit 0,7µm Auflösung

Laserdioden-Messplatz ( gepulst )

Laserdiode Characterization
- Treiberstrom bis 2A
- 500ns Pulsdauer, 1ms Pulsabstand (Tastverhältnis: 0,5)
- Temperatur variabel von -10°C bis 150°C
- Ultraschnelle InGaAs- und Si-Photodioden zur Detektion (Anstiegszeit: 5ns)
- Fernfeldmessung für x- und y-Achse

Laserdioden-Messplatz ( cw )

Laserdiode Characterization
- Treiberstrom bis 500mA, 10µA Auflösung
- Multisektionslasermessung (3 Nadeln)
- Temperatur variabel von -10°C bis 150°C

Laserdioden-Messplatz ( high power cw )

High Power cw Laserdiode Characterization
- Treiberstrom bis 40A, Auflösung 10mA
- Komplette Laserdioden Charakterisierung Io,Vf und Po
- Temperaturkontrolle -50°C bis 150°C, Genauigkeit +/-0,1°C
- Wärmesenke integriert

Optischer Spektrumanalysator

Optical Spectrum Analyser
- Wellenlängenbereich von 600nm - 1700nm
- Hohe Auflösung von 0,02nm
- Geeignet für DWDM-Netzwerkanalyse
- Umfangreiche Analyse- und Fittingfunktionen (Power,WDM,SMSR,etc.)
- 7 unabhängige Messspuren

Phillips PW 3710 MPD Röntgendiffraktometer

X-ray Diffraction
- Hohe Auflösung ( Dicke, Verspannung, Versetzungen )
- 3-Achsen Geometrie
- Pulver messbar

PANalytical X’Pert Pro MRD

X-ray Diffraction

-Offene Eulerwiege mit XYZ-Probentisch
-Rocking curve-/ Triple Axis-Sekundäroptik
-Hochauflösungs- , Textur-, Spannungs- und Reflektivitätsmessungen (Auflösung von 0,0001°)
-Hochauflösendes Mapping im reziproken Raum, Akzeptanzwinkel 12‘‘

Sloan Dektak IIA Profilometer

Dektak Profilometer
- 20nm Auflösegenauigkeit

Leica DMR Mikroskop

Leica DMR
- bis 1000fache Vergrößerung
- Kontrastverfahren: Hellfeld, Dunkelfeld, Differentieller Interferenzkontrast
- Auflicht und Durchlicht

Plasmos SD-2100 Ellipsometer

Plasmos SD-2100
Schichtdickenmonitoring transparenter Schichten

Zygo New View 5000 Weißlichtinterferometer

Zygo New View 5000
- Vertikale Auflösung bis zu 0,1nm
- Objektive: 5xMichelson, 50x Mirau
- Stitching-Möglichkeit durch xy-motorisierten Probentisch
- Erweiterter vertikaler Scanbereich bis zu 20mm

Ambios Technology Oberflächenprofilometer XP-100

Ambios Technology Oberflächenprofilometer XP-100
- 3 nm-Auflösegenauigkeit
- 0,03-10 mg Stylus-Aufdruckkraft
- 1,2 mm. max Messbereich in z-Richtung
- Analyse von Stufenhöhen, Schichtdicken, Rauheit, Welligkeit, Dünnschichtstress
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